外资最新报告示警记忆体价格近几周价格恶化速度比预期快,并再度下修南亚科与华邦电评等,使记忆体族群今 (7) 日股价一片惨澹,南亚科 (2408-TW)、华邦电 (2344-TW) 与旺宏 (2337-TW) 开盘便跳空下挫,下跌超过半根跌停板,南亚科创逾 1 年来新低,华邦电创 1 年半来新低,旺宏则是创近 1 年来新低价。

外资出具报告认为,近几周记忆体价格下滑速度较预期快,DRAM 面临需求下滑、库存积累与价格下修压力,第 3 季价格可能持平表现,产业反转将较预期来得快;NAND 则是受到供给过剩影响,第 3 季开始将使厂商营运风险大增,印证先前记忆体涨价趋势可能已告一段落的预测。

外资的南韩半导体研究团队访谈记忆体买卖双方后发现,DRAM 厂在旺季来临前提高库存,积极想办法稳定价格,但採购方需求从 8 月起开始放缓,DRAM 厂因此面临相当大的价格压力,甚至恐拖累 2019 年的毛利率表现。

除 DRAM 外,外资也指出,NOR Flash 价格下滑态势明确,再度下修对南亚科与华邦电的投资评等,分别下调为「中立」与「劣于大盘」。

南亚科第 2 季单季营收创高、达 245.92 亿元,而 7 月与 8 月合併营收已达 163.95 亿元,从目前单月营收表现来看,法人预估,南亚科第 3 季营收表现可望优于第 2 季,再度改写单季营收新猷纪录,但第 4 季在需求成长有限,且供给端集中在下半年开出产能影响,DRAM 价格可能终结连 9 季上扬态势,南亚科第 4 季营收恐难再创高。

受到外资保守看记忆体族群后市影响,记忆体族群今日股价纷纷跳水,南亚科下挫逾 7%,华邦电重挫逾 8%,旺宏则是遭卖压掼至跌停价 28 元。

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